收藏本站
IXGN72N60A3
Fig. 7. Transconductance
Fig. 8. Gate Charge
130
120
110
100
90
80
70
60
50
T J = - 40oC
25oC
125oC
16
14
12
10
8
6
V CE = 300V
I C = 60A
I G = 10 mA
40
30
20
10
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
100,000
I C - Amperes
Fig. 9. Capacitance
160
Q G - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
140
10,000
1,000
Cies
120
100
80
Coes
60
100
10
Cres
40
20
0
T J = 125oC
R G = 3 ?
dV / dt < 10V / ns
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
1.00
0.10
0.01
V CE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V CE - Volts
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: G_72N60A3(76)3-25-08-B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXGN72N60C3H1 IGBT 78A 600V SOT-227B
IXGN80N60A2D1 IGBT 600V 160A FRD SOT-227B
IXGN82N120B3H1 IGBT 1200V 145A SOT-227
IXGN82N120C3H1 IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
IXSN35N100U1 IGBT 64A 1000V SOT-227B
IXSN35N120AU1 IGBT 70A 1200V SOT-227B
IXSN50N60BD3 IGBT 75A 600V SOT-227B
IXSN52N60AU1 IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B
相关代理商/技术参数
IXGN72N60C3H1 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN80N60A2 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN80N60A2D1 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN82N120B3H1 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGN82N120C3H1 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP10N100 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGP10N100A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGP10N50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB